特許

J-GLOBAL ID：200903022621854398

エッチング方法

発明者： 外崎 峰広 ,  北川 浩司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103046
公開番号（公開出願番号）：特開2002-294470
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】 エッチング処理を短時間で行い、エッチング技術を利用して製造される製品を短時間で製造可能な可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】 基板K2に-10kV以上-2kV以下の範囲内の負のパルス状電圧を印加した状態において、カウフマン型イオンソースによりエッチングイオン(酸素イオン)を含むプラズマを発生させ、プラズマ中のエッチングイオンにより、基板K2の表面に形成されたta-C薄膜にマスク22を用いて選択的にエッチング処理を施す。基板Kに対する負のパルス状電圧の印加により、プラズマ密度が高まると共にエッチングイオンがta-C薄膜に対して導かれ易くなるため、エッチング速度が増加し、ta-C薄膜パターン21Pが短時間で形成される。

請求項（抜粋）：

被処理体にエッチング処理を施すエッチング方法であって、前記被処理体に-10kV以上-2kV以下の範囲内の負のパルス状電圧を印加した状態において、イオンを含むプラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンにより前記被処理体にエッチング処理を施すことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  G02B 5/18 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

C23F 4/00 A ,  G02B 5/18 ,  H01L 21/302 D

Fターム (21件)：

2H049AA37 ,  2H049AA63 ,  4K057DA12 ,  4K057DB02 ,  4K057DB04 ,  4K057DB05 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG15 ,  4K057DM02 ,  4K057DN01 ,  5F004BA12 ,  5F004BB16 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB08