特許

J-GLOBAL ID：200903022625060930

光半導体装置

発明者： 岸田 裕司
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245796
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077778
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 光半導体装置の広帯域化を図ること。【解決手段】 基板1と、基板1上に載置された光導波体3と、基板1上の光導波体3の光入射側に形成された接地電極層42と接地電極層42上に活性層2aを下側にして配設された光半導体素子2と、基板1上に配設され、上面にマイクロ波信号入力用の線状導電層41を形成した誘電体層5とから成り、線状導電層41が活性層2aの背面側電極2bに接続されていることを特徴とする光半導体装置M1とする。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に載置された光導波体と、前記基板上の前記光導波体の光入射側に形成された接地電極層と該接地電極層上に活性層を下側にして配設された光半導体素子と、前記基板上に配設され、上面にマイクロ波信号入力用の線状導電層を形成した誘電体層とから成り、前記線状導電層が前記活性層の背面側電極に接続されていることを特徴とする光半導体装置。

Fターム (7件)：

5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073EA14 ,  5F073FA07 ,  5F073FA13 ,  5F073FA16 ,  5F073FA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-298470   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
• 特開平3-011690