特許

J-GLOBAL ID：200903022629781993

配線形成方法

発明者： 前田 圭一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-030391
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223731
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの配線をデュアルダマシン法によって形成する際に、上層配線となる導電膜を、ボイド等が生じることなく、しかも、低温での処理により、良好に接続孔や配線溝に埋め込むことが可能な配線形成方法を提供する。【解決手段】 先ず、下層配線2上に層間絶縁膜3を形成し、次に、層間絶縁膜3をエッチングして接続孔3aと配線溝3bを形成し、次に、層間絶縁膜3上に導電膜6を形成する。その後、本発明では、高圧リフローによって導電膜6を接続孔3a及び配線溝3bに埋め込む。そして、高圧リフローによって導電膜6を接続孔3a及び配線溝3bに埋め込んだ後、接続孔3a及び配線溝3bに埋め込まれた部分を残して導電膜6を除去する。これにより、接続孔3a及び配線溝3bに埋め込まれた導電膜が、上層配線として形成されることとなる。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜の下層に形成された下層配線に接続孔を介して導通する上層配線を、該層間絶縁膜に埋め込むように形成する配線形成方法であって、下層配線上に層間絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、下層配線に臨む接続孔を層間絶縁膜に開口するとともに、該層間絶縁膜の膜厚方向の一部を除去して上層配線パターンに倣った配線溝を形成するパターニング工程と、少なくとも配線溝の開口端を塞ぐごとく層間絶縁膜上に導電膜を形成する導電膜形成工程と、高圧リフローによって導電膜を配線溝及び接続孔に埋め込む高圧リフロー工程と、配線溝及び接続孔内に埋め込まれた部分を残して導電膜を除去し、配線溝及び接続孔内に略平坦に埋め込まれた導電膜を上層配線とする平坦化工程と、を有する配線形成方法。