特許

J-GLOBAL ID：200903022631825043

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310533
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162038
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 InGaNを活性層とし、n型およびp型のGaAlNをクラッド層としたp-n接合型ダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、安定した発光輝度、発光出力を得ると共に、それらの特性をさらに高める。【構成】 基板1上に少なくともn型GaNよりなるコンタクト層2と、n型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(0≦X≦1)よりなる第一のクラッド層3と、n型あるいはp型のGa<SB>1-Y</SB>In<SB>Y</SB>N(0<Y<1)よりなる活性層4と、p型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0≦Z≦1)よりなる第二のクラッド層5とが順に積層されており、第一のクラッド層3の電子キャリア濃度が1×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>〜1×10<SP>19</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にすることにより、発光輝度、発光出力を向上させる。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくともn型GaNよりなるコンタクト層と、n型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(0≦X≦1)よりなる第一のクラッド層と、n型あるいはp型のGa<SB>1-Y</SB>In<SB>Y</SB>N(0<Y<1)よりなる活性層と、p型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0≦Z≦1)よりなる第二のクラッド層とが順に積層された構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であり、前記第一のクラッド層の電子キャリア濃度が1×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>〜1×10<SP>19</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲に調整されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18