半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245864
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111420
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造方法及び製造装置に関し、大気中に被処理半導体基板を取り出したときのコロージョンの発生を防止し、信頼性の高い銅配線パターンを再現性良く形成する。【構成】半導体基板上に層間絶縁膜1を介して設けたバリアメタル膜2とカバー膜4によって上下を挟まれたCu膜3を第1の処理室において塩素系反応ガスを用いたプラズマ・エッチングによりパターニングしたのち、半導体基板を大気中に晒すことなく第2の処理室に搬送して、水素プラズマ10中で処理する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に層間絶縁膜を介して設けたバリアメタル膜とカバー膜とによって上下を挟まれたCu膜を第1の処理室において塩素系反応ガスを用いたプラズマ・エッチングによりパターニングするプラズマ・エッチング工程と、前記プラズマ・エッチング工程後、前記半導体基板を大気中に晒すことなく第2の処理室に搬送し、水素プラズマ中で処理する水素プラズマ処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 , H01L 21/3065 , H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/88 D , H01L 21/302 F , H01L 21/302 N , H01L 21/88 R

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