特許

J-GLOBAL ID：200903022640084285

光半導体装置

発明者： 竹内 淳
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206398
公開番号（公開出願番号）：特開平6-051251
出願日： 1992年08月03日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 光半導体装置に関し、TBQ構造をなす半導体層の積層体に極めて簡単な改変を施すことに依って、光照射で励起された電子及び正孔を急速に排除可能にすると共に高速の繰り返し動作を可能にしようとする。【構成】 量子井戸の井戸を成す物質層W1 、物質層W1 を両面から挟むように積層され且つ電子がトンネリング可能な厚さを有して量子井戸のバリヤを成す物質層B2A及びB2B、物質層B2A及びB2Bの少なくとも一方に接して積層された物質層W3A(及びW3B)を基本の層構成とし且つ物質層W3A(及びW3B)に存在し得る伝導帯中の電子の最低のエネルギ準位が物質層W1 に生成される電子の最低の量子準位に比較してエネルギ的に低い積層体と、光が照射されて物質層W1 に生成された電子と正孔の排出を助長する電界を積層体に印加する電極とを備え且つ物質層W1 ,B2A(及びB2B),W3A(及びW3B)のうちの一つに不純物を導入する。

請求項（抜粋）：

第一の禁制帯幅を有すると共に励起子が存在し得る厚さを有して量子井戸の井戸を成す第一の物質層及び第一の物質層を両面から挟むように積層され第一の物質層に於ける伝導帯の底に比較してエネルギ的に高い伝導帯の底を有すると共に電子がトンネリング可能な厚さを有して前記量子井戸のバリヤを成す第二の物質層及び第一の物質層を挟むように積層された第二の物質層の少なくとも一方の第二の物質層に接して積層され第二の物質層に於ける伝導帯の底に比較してエネルギ的に低い伝導帯の底を有する第三の物質層を基本の層構成とし且つ第三の物質層に存在し得る伝導帯中の電子の最低のエネルギ準位が第一の物質層に生成される電子の最低の量子準位に比較してエネルギ的に低くなっている積層体と、前記積層体に光が照射されて第一の物質層に生成された電子・正孔対のうち電子が第二の物質層をトンネリングして第三の物質層に抜け出すことで空間的に分離された電子及び正孔の排出を助長する電界を前記積層体に於ける積層面に対して平行な方向に印加するべく前記積層体近傍に形成された電極とを備え且つ第一乃至第三の物質層のうちの一つの物質層に半導体を導電化する為の不純物が導入されてなることを特徴とする光半導体装置。