ヒートシンクを備えたレーザダイオードデバイス及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277260
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129986
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】半導体基体が冷却体を備えたヒートシンクに固定され、半導体基体と冷却体の熱膨張係数が大きく異なるレーザダイオードデバイスにおいて、半導体基体とヒートシンクとの間の接続が均一の電気及び熱伝導性特性をもち、同時に高い機械的安定性をもつものを提供する。【解決手段】半導体基体1は、冷却体12と電気及び熱伝導性の端子板3からなるヒートシンクに取り付けられる。半導体基体1は、冷却体12に取り付けられた端子板3に固定されている。端子板3はその熱膨張係数が半導体基体1の半導体材料と類似の熱膨張係数をもつ材料からなる。半導体基体1と端子板3との間の接続層2は例えば硬ろうからなる。冷却体12は例えば熱伝導性接着剤により端子板3に固定される。多数のかかるレーザダイオード素子が一体として作られ、次いで分割される。

請求項（抜粋）：

半導体基体(1)が冷却体(12)を備えたヒートシンクに取り付けられ、半導体基体(1)と冷却体(12)の熱膨張係数が大きく異なっているレーザダイオードデバイスにおいて、半導体基体(1)と冷却体(12)との間に、半導体基体(1)の半導体材料と類似の熱膨張係数を備えた材料からなる第一の熱的及び電気的に伝導性の端子板(3)が配置されていることを特徴とするレーザダイオードデバイス。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 23/36 , H01S 3/043

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 23/36 D , H01S 3/04 S

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-286177
特開平4-286177
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-210163 出願人：三菱電機株式会社

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