アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291666
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129567
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】信号線を陽極酸化することにより、欠陥のないアクティブマトリクス基板とその製造方法を提供する。【構成】島状の不純物を含むシリコン層に接触するように、金属薄膜のソース電極と信号線を形成し陽極酸化する。活性シリコン層を形成しレーザ照射で結晶化する。さらにゲート絶縁膜とゲート電極を兼ねた走査線を形成する。【効果】信号線と走査線の間に複数の絶縁膜を形成しているので信号線と走査線の間の短絡による欠陥を防止出来る。スルーホールを形成すること無くソース電極を形成できるので接触不良がなく良好な表示のアクティブマトリクス型の液晶表示体を製造できる。

請求項（抜粋）：

アクティブマトリクス基板の駆動回路あるいは画素を駆動する薄膜トランジスタの信号線の材質が金属薄膜であり、上記信号線を陽極酸化法により金属酸化膜を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (2件)：

H01L 27/12 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭57-045947
特開平2-008821
特開平2-208635

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