特許

J-GLOBAL ID：200903022645344587

InGaN単結晶およびその製造方法

発明者： 平松 和政 ,  川口 靖利 ,  清水 誠也
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-030618
公開番号（公開出願番号）：特開平9-227297
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年09月02日
要約：

【要約】【課題】 高品質な結晶構造を有し、かつ、厚いInGaN単結晶とその製造方法を提供すること。【解決手段】 サファイア基板1上に、AlNを成膜しバッファ層2とした上に、InGaN単結晶3を成長させることによって、良好な結晶性であり、かつ、厚みが0.5μmを超えるInGaN単結晶が得られる。AlNの成膜法、および、InGaNの結晶成長法は、共にMOVPEとすることが好ましい。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に成膜されたAlNをバッファ層とし該バッファ層上に結晶成長され、0.5μmを超える厚みを有するものであることを特徴とするInGaN単結晶。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝
• 青色発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238553   出願人：三菱電線工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-180170   出願人：住友化学工業株式会社