特許
J-GLOBAL ID：200903022645398644
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-029434
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222812
出願日： 1995年02月17日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を改善し、さらに窒化ガリウム系化合物半導体を安定して、歩留まりよく成長する。【構成】 一般式がGaXAl1-XN(但し0≦X≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を熱膨張係数や格子定数の異なる基板上に積層する結晶成長方法である。部分的に単結晶化したGaNバッファ層の使用や基板の部分的なイオン注入によるアモルファス化、基板上の格子状の絶縁体パターンの作製することで窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を飛躍的に向上できる。
請求項（抜粋）：
一般式がGaxAl1-xN(但し0≦x≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を熱膨張係数や格子定数の異なる基板上に積層する結晶成長方法で、低温で成長させるバッファ層の一般式がGaxAl1-xN(但し0≦x≦1)で示され、紫外レーザ光をストライプ状に照射して単結晶化して、前記バッファ層の上に高温で窒化ガリウム系化合物半導体で結晶成長することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
