特許
J-GLOBAL ID：200903022649523613
バンプの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-111934
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326112
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 簡便、且つ工業的にバンプを形成する方法、特に電子部品等にバンプを転写する際に、電子部品等に熱によるダメージを与えないバンプの転写方法を提供すること。【構成】 熱伝導層とバンプ保持基材とを積層した多層基材に貫通孔、または少なくともバンプ保持基材に熱伝導層が露出するように開口部を設け、該貫通孔または該開口部に導電体を充填して転写用バンプを形成した後、熱伝導層を加熱することによって該バンプに熱伝導して該バンプを剥離可能に溶融し、バンプ転写対象物に該バンプを転写することを特徴とするバンプの形成方法
請求項（抜粋）：
熱伝導層とバンプ保持基材とを直接または接着層を介して積層した多層基材に貫通孔、または少なくともバンプ保持基材に熱伝導層が露出するように開口部を設け、該貫通孔または該開口部に導電体を充填して転写用バンプを形成した後、熱伝導層を加熱することによって該バンプに熱伝導して該バンプを剥離可能に溶融し、バンプ転写対象物に該バンプを転写することを特徴とするバンプの形成方法。
IPC (2件)：
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