特許

J-GLOBAL ID：200903022650571958

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 兼田 修 ,  山本 秀和 ,  西岡 康隆 ,  川島 光 ,  白石 匡 ,  山脇 正雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246234
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097406
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、光電変換部が大面積になった場合にも高速で信号電荷を読出すことにより低残像化を図ることが可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、上記目的を達成するため光電変換および信号電荷の蓄積を行なうためのn+ 領域2の主表面上にp+ 層13を形成し、そのp+ 層13に電極14、15および電源16を用いて電位勾配が形成されてn+ 領域2の信号電荷の読出方向のポテンシャルが深くなるように形成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層の主表面上の所定領域に形成され、光電変換および信号電荷の蓄積を行なうための第2導電型の第2の半導体層とを備え、前記第2の半導体層は、前記信号電荷の読出方向のポテンシャルが深くなるように形成されている、固体撮像装置。