特許
J-GLOBAL ID:200903022656687729
半導体製造装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田辺 恵基
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-055472
公開番号(公開出願番号):特開平9-232290
出願日: 1996年02月19日
公開日(公表日): 1997年09月05日
要約:
【要約】【課題】本発明は、製品の歩留りを向上させるようにする。【解決手段】本発明は、チヤンバ内に反応ガスを供給し、当該反応ガスを上記チヤンバ内に搬送されたウエハの表面と化学反応させることにより当該ウエハ表面を処理する半導体製造装置において、化学反応後のチヤンバ内に残留した残留ガスを一掃するためのパージガスを加熱して高温のパージガスを生成するガス加熱手段と、高温のパージガスをチヤンバ内に供給するガス供給手段とを具え、化学反応後、チヤンバ内にガス供給手段により高温のパージガスを供給して排気することによりチヤンバ内の残留物及び残留ガスを排出する。これにより、半導体製造装置はチヤンバ内の反応ガスを冷却することなく残留物及び残留ガスを排出することができ、チヤンバ内に堆積物が付着することを防止し得る。
請求項(抜粋):
チヤンバ内に反応ガスを供給し、当該反応ガスを上記チヤンバ内に搬送されたウエハの表面と化学反応させることにより当該ウエハ表面を処理する半導体製造装置において、上記化学反応後の上記チヤンバ内に残留した残留ガスを一掃するためのパージガスを加熱して高温のパージガスを生成するガス加熱手段と、上記高温のパージガスを上記チヤンバ内に供給するガス供給手段とを具え、上記化学反応後、上記チヤンバ内に上記ガス供給手段により上記高温のパージガスを供給して排気することにより上記チヤンバ内の残留物及び上記残留ガスを排出することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件):
H01L 21/3065
, H01L 21/205
FI (2件):
H01L 21/302 N
, H01L 21/205
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