特許

J-GLOBAL ID：200903022658168575

炭化けい素半導体基板の製造方法

発明者： 浅井 隆一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160338
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001398
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】炭化けい素基板の製造方法において、エピタキシャル成長条件を吟味し、キャリア移動度等の素子特性を向上させる。【解決手段】エピタキシャル成長時に、体積比で0.2〜0.6%の塩酸ガスを加え、1450〜1550°Cで、エピタキシャル層を成長する。

請求項（抜粋）：

炭化けい素基板上に炭化けい素エピタキシャル層を成長させる炭化けい素半導体基板の製造方法において、塩化水素ガスを添加した雰囲気中でエピタキシャル層を成長することを特徴とする炭化けい素半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205

Fターム (24件)：

4G051BB02 ,  4G051BB12 ,  4G051BC03 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077EA06 ,  4G077EC10 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC13 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA67 ,  5F045EE12

引用特許：

審査官引用 (5件)

• SiC結晶成長方法およびSiC半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-210321   出願人：富士電機株式会社
• 特公昭49-037040
  
• 特開平2-157196
  
• 炭化けい素半導体基板とその製造方法およびその基板を用いた炭化けい素半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336511   出願人：富士電機株式会社
• 特開平4-214099
  

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Low-temperature and selective growth of β-SiC using the SiH2Cl2/C3H8/H2/HCl gas system
• Controlled growth of 3C-SiC and 6H-SiC films on low-tilt-angle vicinal (0001)6H-SiC wafers
• Low temperature and selective growth of β-SiC using th SiH2Cl2/i-C4H10/HCl/H2 gas system
• β-SiC/Si選択ヘテロエピタキシー