特許
J-GLOBAL ID:200903022659050110

低SiO2焼結鉱および低SiO2焼結鉱を用いた高炉操業方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 苫米地 正敏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-218526
公開番号(公開出願番号):特開2000-034527
出願日: 1998年07月16日
公開日(公表日): 2000年02月02日
要約:
【要約】【課題】 高炉において長期間安定した低Si操業、好ましくは溶銑中Si濃度が安定して0.3重量%以下に維持されるような低Si操業を可能ならしめる低SiO2焼結鉱を得る。【解決手段】 溶銑中のSi濃度は、焼結鉱中のSiO2含有量だけでなくCaO成分とFeO成分の比率に大きく影響され、その比率をある特定の水準以上とすることにより低SiO2焼結鉱を用いた高炉操業において溶銑中Si濃度を安定して低減化できるという知見に基づきなされたもので、SiO2成分が5.0重量%以下で、且つCaO成分とFeO成分の重量比[CaO%]/[FeO%]が1.55以上であることを特徴とする。
請求項(抜粋):
SiO2成分が5.0重量%以下で、且つCaO成分とFeO成分の重量比[CaO%]/[FeO%]が1.55以上であることを特徴とする低SiO2焼結鉱。
IPC (2件):
C22B 1/20 ,  C21B 5/00 301
FI (2件):
C22B 1/20 ,  C21B 5/00 301
Fターム (6件):
4K001AA10 ,  4K001CA49 ,  4K001GA02 ,  4K001GB01 ,  4K012BA02 ,  4K012BA08
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭61-281829
  • 特開昭61-281829

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