特許

J-GLOBAL ID：200903022663706917

半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法及び半導体ウエハ処理装置並びに半導体素子

発明者： 星野 正和 ,  渡辺 智司 ,  西内 浩世 ,  内野 敏幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-147275
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330881
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】ガス反応クリーニングの際のエッチング速度分布の均一化を図ることにより、生産性を向上する。【解決手段】長手方向両端に開口部を設けた略偏平な反応管2内に、ウエハ3a,bを載置するための開口部8aA,bAが形成された2枚のウエハ支持板8a,bを配置し、反応管2を挟むように対向配置された平行平板ヒータ1で反応管2の加熱を行いつつ反応管2内にガスを供給しながら排気することによりウエハ処理を行うCVD装置100の、反応管2内壁面の付着した堆積物をエッチングし除去する。このとき、ウエハ支持板8a,bの開口部8aA,bAに、大きさがウエハ3a,bと略同一であるウエハ状の板12a,bを載置した状態でエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

長手方向両端に開口部を設けた略偏平な反応管及び前記開口部に設けられたフランジを備えた反応容器内に、ウエハを載置するための開口部が形成された少なくとも1枚のウエハ支持板を配置し、前記反応管を挟むように対向配置された平行平板ヒータで該反応管の加熱を行いつつ前記反応容器内にガスを供給しながら排気することによりウエハ処理を行う半導体ウエハ処理装置の、前記反応管内壁面の付着堆積物をエッチングし除去する半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法において、前記ウエハ支持板の開口部に、大きさが前記ウエハと略同一である略円板状部材を載置した状態で、前記エッチングを行うことを特徴とする半導体ウエハ処理装置のクリーニング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 N