特許

J-GLOBAL ID：200903022664783249

CCDイメージセンサ

発明者： 佐々木 雅浩
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364966
公開番号（公開出願番号）：特開2001-186416
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 CCDイメージセンサにおいて、ストレージでの最大蓄積電荷量及びCCDレジスタでの最大転送電荷量を最大限に引き出し、S/N比を向上させ、サイズの小型化を図る。【解決手段】 フォトダイオード(PD)で光電変換した信号電荷をストレージ(ST)に蓄積する際に、ストレージ(ST)への印加電圧を上昇させてストレージ(ST)下のポテンシャルを下げ、ストレージ(ST)に蓄積した信号電荷をCCDレジスタ(CCD)に移送する際に、ストレージ(ST)への印加電圧を低下させてストレージ(ST)下のポテンシャルを上げる

請求項（抜粋）：

光電変換した信号をCCD転送することにより各画素から画像情報を得るCCDイメージセンサにおいて、受光した光を光電変換する受光部と、第1の制御電圧が印加され、前記光電変換によって生じた信号電荷を蓄積し、前記信号電荷の蓄積時に前記第1の制御電圧を上昇させ、蓄積した前記信号電荷の移送時に前記第1の制御電圧を低下させる蓄積部と、前記蓄積部から移送された信号電荷を出力部まで転送するCCDレジスタと、を有することを特徴とするCCDイメージセンサ。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/148

FI (2件)：

H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B

Fターム (11件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA02 ,  4M118FA16 ,  4M118FA39 ,  5C024CX03 ,  5C024GX12 ,  5C024GX16 ,  5C024GY01 ,  5C024GY06