特許
J-GLOBAL ID：200903022665485225
半導体光素子アレイの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048467
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251738
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 組成の異なる複数個の半導体光素子を同一基板上に気相成長法で形成する半導体光素子アレイの製造方法に関し、モノリシック集積型光素子アレイを一回の成長工程で得る技術を提供することを目的とする。【構成】 同一基板上に複数のIII族元素を含むIII-V族化合物半導体活性層を異なる組成で一表面上に有する半導体光素子アレイを作製する方法であって、基板上に幅の異なる選択成長用マスクを形成する工程と、前記選択成長用マスクに覆われていない基板表面上に気相成長法によりIII族元素混晶型III-V族化合物半導体層を結晶成長する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
同一基板(1)上に複数のIII族元素を含むIII-V族化合物半導体活性層を異なる組成で一表面上に有する半導体光素子アレイを作製する方法であって、基板(1)上に幅の異なる選択成長用マスク(9)を形成する工程と、前記選択成長用マスクに覆われていない基板(1)表面上に気相成長法によりIII族元素混晶型III-V族化合物半導体層(21)を結晶成長する工程とを含む半導体光素子アレイの作製方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
, H01S 3/25
