半導体製造装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , , , , , , , , ,
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332527
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156057
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】真空紫外光が窓による損失を受けずに反応室内に導入されるようにする。【解決手段】半導体製造装置は、光源10、反応室12およびステージ14を具えている。光源で発生した真空紫外光は反応室中に放射され、反応室内に所定の反応が誘起される。反応室内に設けられたステージ上に基板30が支持されている。この基板に対して上述の反応を使った処理が施される。光源は反応室の内部に設けられているため、反応室では、真空紫外光の発生と、真空紫外光による反応の誘起と、その反応を使った基板に対する処理とが行われる。

請求項（抜粋）：

発光ガスにエネルギを注入して真空紫外光を発生させる領域である真空紫外光発生部と、該真空紫外光発生部からの真空紫外光により所定の反応が誘起される反応室と、該反応を使った処理が施される基板を支持するために前記反応室内に設けられた支持台とを具えた半導体製造装置において、前記真空紫外光発生部の圧力と、前記反応室の内部の圧力と、前記真空紫外光発生部から前記反応室に至る真空紫外光の伝搬経路の圧力とを同圧にしたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/455

Fターム (51件)：

4K030AA02 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA02 , 4K030BA21 , 4K030BA29 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030FA02 , 4K030FA03 , 4K030FA08 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA15 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AA11 , 5F045AA12 , 5F045AA13 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB34 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE30 , 5F045AF03 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045BB14 , 5F045EB13 , 5F045EC03 , 5F045EC05 , 5F045EE12 , 5F045EE14 , 5F045EH04 , 5F045EH08 , 5F045EH16 , 5F045EJ05 , 5F045EJ09

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-128723
特開昭63-229711
特開昭63-229711

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