特許

J-GLOBAL ID：200903022673453669

化合物半導体素子

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197598
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041232
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 突起物の少ない表面の平滑性に優れる窒化物化合物半導体成長層の形成を可能とする窒化物低温緩衝層を備えた積層体から素子特性に優れる化合物半導体素子を得る。【解決手段】 低温緩衝層を厚さをtとする単結晶層と、直径を0.1×t以上かつ5.0×t以下とする略球状の単結晶粒とを主体として構成する。

請求項（抜粋）：

基板結晶の表面に形成された化合物半導体緩衝層上に堆積された窒化ガリウム系化合物半導体層を含む積層体からなる化合物半導体素子に於いて、該緩衝層が、厚さをtとする単結晶層と、tに対して直径を0.1×t以上かつ5.0×t以下とする単結晶からなる略球体とを主体として構成されていることを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205