特許

J-GLOBAL ID：200903022676110738

半導体シリコン基板

発明者： 太田 豊
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 落合 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234280
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061201
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 エッジクラウン発生による弊害の防止と欠けや割れの発生の防止とが同時に図れる半導体シリコン基板を提供する。【構成】 表裏の周縁をそれぞれ面取りした半導体シリコン基板において、表裏の面取りのうち少なくとも一方が2段面取り構造となっており、内側の面取り部においては、前記基板の主面の延長面とその傾斜面とのなす面取り角度が3°〜10°、外側の面取り部においては、前記基板の主面の延長面とその傾斜面とのなす面取り角度が11°〜45°になっている。

請求項（抜粋）：

表裏の周縁をそれぞれ面取りした半導体シリコン基板において、表裏の面取りのうち少なくとも一方が2段面取り構造となっており、内側の面取り部においては、前記基板の主面の延長面とその傾斜面とのなす面取り角度が3°〜10°、外側の面取り部においては、前記基板の主面の延長面とその傾斜面とのなす面取り角度が11°〜45°になっていることを特徴とする半導体シリコン基板。

IPC (2件)：

H01L 21/304 301 ,  H01L 21/02