特許
J-GLOBAL ID：200903022678312656

化合物、高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
塩野 大寿

塩野 大寿 について

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太宰 尚宏

太宰 尚宏 について

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清水 宏明

清水 宏明 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-003339
公開番号（公開出願番号）：特開2009-057534
出願日： 2008年01月10日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物用のモノマーとして有用な化合物およびその製造方法、前記製造方法において中間体として有用な化合物、前記高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、ならびに該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸解離性溶解抑制基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する高分子化合物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)で表される化合物。
IPC (4件)：
C08F 20/26 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
C08F20/26 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (39件)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA03 ,  2H025DA34 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02P ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA40R ,  4J100BB07R ,  4J100BC03P ,  4J100BC08P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC22P ,  4J100BC23P ,  4J100BC26Q ,  4J100BC27Q ,  4J100BC36P ,  4J100BC36Q ,  4J100BC53Q ,  4J100BC54Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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