高耐熱合成高分子化合物及びこれで被覆した高耐電圧半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：山崎宏 , 大畠康 , 大森忠孝 , 東島隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-019877
公開番号（公開出願番号）：特開2006-206721
出願日： 2005年01月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

【課題】150°C以上の高温で使用するSiCなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。【解決手段】ワイドギャップ半導体素子の外面を、合成高分子化合物で被覆する。この合成高分子化合物は、シロキサン(Si-O-Si結合体)による橋かけ構造を有する1種以上の有機珪素ポリマーAとシロキサンによる線状連結構造を有する1種以上の有機珪素ポリマーBとをシロキサン結合により連結させた有機珪素ポリマーC同士を、付加反応により生成される共有結合で連結させて三次元の立体構造に形成している。この合成高分子化合物に高い熱伝導性を有する絶縁性セラミックスの微粒子を混合し、熱伝導率を高くしている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

付加反応により生成される共有結合で連結し、三次元の立体構造を形成しうる高分子組成物であり、シロキサン(Si-O-Si結合体)による橋かけ構造を有する少なくとも1種の第1の有機珪素ポリマーと、シロキサンによる線状連結構造を有する少なくとも1種の第2の有機珪素ポリマーとを、シロキサン結合により連結させた、分子量が2万から80万である第3の有機珪素ポリマーの1種以上を含有することを特徴とする合成高分子化合物。

IPC (10件)：

C08G 77/44 , C08K 3/14 , C08K 3/22 , C08K 3/28 , C08L 83/04 , H01L 31/12 , H01L 29/861 , H01L 29/744 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (11件)：

C08G77/44 , C08K3/14 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08L83/04 , H01L31/12 C , H01L29/91 D , H01L29/91 F , H01L29/74 C , H01L29/91 Z , H01L23/30 R

Fターム (41件)：

4J002CP031 , 4J002CP171 , 4J002DB016 , 4J002DE096 , 4J002DE146 , 4J002DF016 , 4J002GQ05 , 4J246AA03 , 4J246AB02 , 4J246BA02X , 4J246BA020 , 4J246BA12X , 4J246BA120 , 4J246BA14X , 4J246BA140 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA260 , 4J246CA40X , 4J246CA400 , 4J246GA01 , 4J246HA66 , 4M109AA01 , 4M109EA10 , 4M109EB12 , 4M109GA10 , 5F005AA03 , 5F005AB03 , 5F005AC02 , 5F005AF02 , 5F005CA01 , 5F005GA01 , 5F005GA02 , 5F089AA10 , 5F089AB03 , 5F089AC02 , 5F089CA01 , 5F089CA21 , 5F089DA14

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第3395456号公報
特許第3409507号公報

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