特許

J-GLOBAL ID：200903022679421300

半導体装置の製造方法

発明者： 杉本 大
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-114537
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297997
出願日： 2000年04月17日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 イオン注入の深さが異なる不純物注入領域を1回の工程で行うことのよって、不純物注入領域間の位置精度を高めて高集積化を図るとともに、工程数を削減して製造コストの低減を図る。【解決手段】 基板11上に複数の異なった膜厚領域を有するレジストパターン24を形成する工程と、レジストパターン24をマスクにして基板11にイオン注入を行う工程とを備えていて、レジストパターン24は、例えば基板11上に形成したレジスト膜21を、ハーフトーンマスクを用いて露光し、現像することにより形成する。もしくは、露光波長の解像限界以下のパターンサイズを有する網目状パターンを形成したフォトマスクを用いてレジスト膜を露光した後、現像することによって作製する。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の異なった膜厚領域を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記基板にイオン注入を行う工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/266 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (5件)：

2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB31 ,  2H095BC01 ,  2H095BC08