特許
J-GLOBAL ID：200903022682823193
ダイヤモンド自立膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
太田 明男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-269120
公開番号（公開出願番号）：特開平10-095695
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】気相合成法を用いてダイヤモンド自立膜を得ようとする場合、基体を除去する必要がない簡易な製造方法を提供することを目的とする。また、ダイヤモンド自立膜を二段成膜によって作成しようとする場合、ダイヤモンド第2被覆層の、ダイヤモンド第1被覆層との密着面側の研磨が不必要な製造方法を提供する。【解決手段】(a)基体に微細凹凸を形成する第1工程と、(b)前記微細凹凸を有する基体の表面にダイヤモンド第1被覆層を気相合成法により形成し前記基体の表面を前記被覆層で被覆する第2工程と、(c)前記被覆第1層より結晶密度が高いダイヤモンドで形成されたダイヤモンド被覆第2層で前記第1被覆層の表面を被覆する第3工程と、(d)前記第2被覆層の析出面側を研磨する第4工程と、(e)基体を除去する第5工程と、(f)前記第1層の、基体面との密着面側を研磨することにより、上記被覆第1層を除去し、上記被覆第2層の裏面を平坦にする第6工程からなる。
請求項（抜粋）：
気相合成法によるダイヤモンド自立膜の製造方法であって、(a)基体に微細凹凸を形成する第1工程と、(b)前記微細凹凸を有する基体の表面にダイヤモンド第1被覆層を気相合成法により形成し前記基体の表面を前記被覆層で被覆する第2工程と、(c)前記被覆第1層より結晶密度が高いダイヤモンドで形成されたダイヤモンド被覆第2層で前記第1被覆層の表面を被覆する第3工程と、(d)前記第2被覆層の析出面側を研磨する第4工程と、(e)基体を除去する第5工程と、(f)前記第1層の、基体面との密着面側を研磨することにより、上記被覆第1層を除去し、上記被覆第2層の裏面を平坦にする第6工程からなるダイヤモンド自立膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/04 Q
, C23C 16/26
