特許

J-GLOBAL ID：200903022688484560

CMP後洗浄液組成物

発明者： 毛塚 健彦 ,  板野 充司
出願人/特許権者： ダイキン工業株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-152073
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332527
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】シングルダマシン及びデュアルダマシンプロセスにおけるCMP後に、表面のスラリー粒子を除去でき、且つ腐食され易いAl、Al-Cu、Cu、TiN等の基板や金属に対する低腐食性を備えた洗浄液を提供する。【解決手段】(1)フッ化水素酸とアンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第4級アンモニウム塩からなる群から選ばれるフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも1種;(2)アルコール類及びケトン類からなる少なくとも1種の含酸素有機溶媒;及び(3)水を含むことを特徴とするCMPスラリー洗浄液組成物。

請求項（抜粋）：

(1) フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも1種;(2)ヘテロ原子を有する有機溶媒;及び(3)水を含むことを特徴とする、CMP後洗浄液組成物。

IPC (7件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 622 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 17/08

FI (7件)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/304 622 Q ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 17/08

Fターム (9件)：

4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003EA05 ,  4H003EB19 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003ED30 ,  4H003FA15