特許
J-GLOBAL ID：200903022689471713
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206398
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058139
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 ワイヤボンディング時のインナリードの熱変形を防止することを目的とする。【構成】 レーザ発生器11より照射されるレーザ12によりワイヤ2の先端部に形成された金属球4及びICチップ5の電極6を加熱すると共に、金属球4と電極6とを超音波及び荷重により接合する工程と、レーザ発生器11より照射されるレーザ12によりワイヤ2の途中及びインナリード7を加熱すると共に、ワイヤ2の途中とインナリード7とを超音波及び荷重により接合する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
レーザ発生器より照射されるレーザにより、ワイヤの一端と、ICチップの電極と、上記ワイヤの他端と、インナリードとを加熱しながら接合する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
