特許

J-GLOBAL ID：200903022689771970

光照射併用プラズマCVD法による硬質窒化ホウ素の製造法

発明者： 小松正二郎 ,  守吉 祐介 ,  笠松 充男 ,  山田家和勝
出願人/特許権者： 科学技術庁無機材質研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191693
公開番号（公開出願番号）：特開平6-316402
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】 高温高圧を用いない気相合成(CVD)法によって、窒化ホウ素結晶粒子からなる硬質窒化ホウ素を製造する。【構成】 アルゴン、ヘリウム及び水素の単独又は混合の作動ガス(A)を用いて、0.01〜100torrの圧力下で発生したプラズマ中に、作動ガスに対して0.01〜10体積%のホウ素源及び窒素源原料ガス(C)を導入して、プラズマ中で生成する活性種を300〜1100°Cに保持した基板3上に到達させると共に、基板表面の活性種に紫外光5を照射することにより、硬質窒化ホウ素膜及びその成長に必要な前駆体活性種となし、硬質窒化ホウ素を基板上に堆積させる。紫外光として、レーザー波長50〜400nm、レーザーパルス5Hz以上、レーザーエネルギー5〜1000mJ/cm2のものが好ましい。切削工具の表面コーティング、電子材料、発光ダイオード等への応用が期待される。

請求項（抜粋）：

アルゴン、ヘリウム及び水素の単独又は混合の作動ガスを用いて、0.01〜100torrの圧力下で発生したプラズマ中に、作動ガスに対して0.01〜10体積%のホウ素源及び窒素源原料ガスを導入して、プラズマ中で生成する活性種を300〜1100°Cに保持した基板上に到達させると共に、基板表面の活性種に紫外光を照射することにより、硬質窒化ホウ素膜及びその成長に必要な前駆体活性種となし、硬質窒化ホウ素を基板上に堆積させることを特徴とする硬質窒化ホウ素の製造法。