特許
J-GLOBAL ID：200903022691881090
気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-154989
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347219
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 MFCは精度良く流量制御のできる領域が狭いので桁違いに異なる流量のガスを1台のMFCで精度良く制御することはできない。そのため従来はMFC(3)40とは流量領域の異なる別のMFC(4)45を設けMFC(3)40とMFC(4)45を流量に応じて切り替えていた。そのため装置が複雑になりコストが高くなっていた。【解決手段】 パルスバルブ20をMFC21と直列に入れ、通過するガスを連続的ではなくパルス的にした。パルスバルブ20のデューティレイショを例えば1/10にすれば流量は実質1/10になり、1/100にすれば実質1/100になる。1台のMFCが3台のMFCの代りをすることができ装置構成が簡単になりコストが下げられる。
請求項（抜粋）：
流量がマスフローコントローラーで制御されたキャリアーガスにより有機金属の液体ソースをバブリングし蒸発させ、前記有機金属の蒸気を前記キャリアーガスに載せて加熱された半導体ウェハーに吹き付け、前記半導体ウェハー表面に前記有機金属の分解した金属原子をエピタクシャル成長させる有機金属気相成長装置において、前記キャリアーガスを間欠的に流すことを特徴とする有機金属気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/455
H01L 21/205
, C23C 16/455
4K030AA11
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030JA05
, 4K030KA11
, 4K030KA41
, 5F045AA04
, 5F045AB12
, 5F045AB17
, 5F045BB04
, 5F045BB05
, 5F045CA13
, 5F045DP03
, 5F045EE03
, 5F045EE04
, 5F045EE19
