半導体レーザ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330425
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228049
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】 p型ドープ層が所望の抵抗値を有するとともに、優れた性能を有するIII-V族化合物半導体を主成分とする半導体レーザーを提供する。【解決手段】基板、前記基板上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする下部クラッド層、下部クラッド層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする活性層、及び活性層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする上部p型クラッド層を有する発振波長450nm以下の半導体レーザーである。前記上部p型クラッド層中に、MgとSiとが含有されていることを特徴とする。前記 III-V族化合物半導体としては、GaN系化合物半導体が好ましく、上部クラッド層中のSiの含有量は、好ましくは5×1018/cm3 以上である。

請求項（抜粋）：

基板、前記基板上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする下部クラッド層、下部クラッド層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする活性層、および活性層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする上部p型クラッド層を有する発振波長450nm以下の半導体レーザーにおいて、前記上部p型クラッド層中に、MgとSiとが含有されていることを特徴とする半導体レーザー。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 21/363 , H01L 21/365

FI (4件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 21/363 , H01L 21/365

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