特許
J-GLOBAL ID：200903022694033104
化合物半導体結晶層の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-089597
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203837
出願日： 1995年04月14日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 高特性,高信頼性を有するの半導体レーザや発光ダイオードを実現できる化合物半導体結晶層の製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板を反応容器内に入れ、反応容器内を10〜100torrに減圧して、アルシンを導入する。GaAs基板の表面温度を650°CでTMGを導入して、GaAs基板上にGaAsバッファ層を成長させた後、TMGの導入を止めて、GaAsバッファ層の成長を停止する(工程I)。次に、アルシンの導入からホスフィンの導入に切り替え、その切り替えから時間t経過後、予め所定の混合比に調整されたTMA,TMGおよびTMIを導入して、GaAsバッファ層上にInGaAlP層の成長を開始し、その成長過程でGaAs基板の表面温度を750°Cまで昇温する(工程II)。そして、GaAs基板の表面温度を750°Cに保って、InGaAlP層を所定の厚さに成長させる(工程III)。
請求項（抜粋）：
III族元素を含んだIII族原料ガスおよびV族元素を含んだV族原料ガスを用い、有機金属気相成長法によって、GaAs基板上に直接またはバッファ層を介してIny(Ga1-XAlX)1-yP層(0≦x≦1,0≦y≦1)を成長させる化合物半導体結晶層の製造方法において、(a) 結晶成長用の反応容器内にV族原料ガスとして砒素系材料を含むガスを導入する工程と、(b) 上記V族原料ガスを上記砒素系材料を含むガスから燐系材料を含むガスへ切り替え、その後、III族原料ガスを上記反応容器内に導入してIny(Ga1-XAlX)1-yP層を成長させる工程とを備え、上記(b)工程は、Iny(Ga1-XAlX)1-yP層の成長開始時を含む第1の期間と、上記第1の期間に続く第2の期間とからなり、上記第1の期間には上記III族原料ガスのモル流量QIIIに対するV族原料ガスのモル流量QVの比QV/QIIIを所定値よりも高い値に設定する一方、上記第2の期間には、上記比QV/QIIIを上記高い値から上記所定値まで下げた後、上記所定値に維持することを特徴とする化合物半導体結晶層の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
