特許

J-GLOBAL ID：200903022696425859

多孔性物質を用いた不揮発性ナノチャンネルメモリ素子

発明者： 周 原 提 ,  林 珍 亨 ,  李 光 熙 ,  李 相 均
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-029604
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222428
出願日： 2006年02月07日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】 電流が流れることが可能な金属ナノ粒子または金属イオンをナノチャンネルの内部に導入したメモリ層を用いることにより、一貫性のある電荷移動経路を確保して再現性に優れ且つ性能の一貫性を有するメモリ素子を実現すること。【解決手段】 下部電極、上部電極、および前記上部電極と前記下部電極との間に位置し、多孔性物質を含み、金属ナノ粒子または金属イオンを含むナノチャンネルを有するメモリ層を備える、メモリ素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部電極、 上部電極、および 前記上部電極と前記下部電極との間に位置し、多孔性物質を含み、金属ナノ粒子または金属イオンを含むナノチャンネルを有するメモリ層を備えることを特徴とする、メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 449

Fターム (11件)：

5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭62-956882号公報
  
• 米国特許公開第2002-163057号明細書
  
• 米国特許第6,055,180号明細書
  
• 米国特許第2003-166602号明細書