特許
J-GLOBAL ID:200903022704570138

電磁界解析方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-160158
公開番号(公開出願番号):特開2000-346891
出願日: 1999年06月07日
公開日(公表日): 2000年12月15日
要約:
【要約】【課題】 短い計算時間で精度よく電磁界解析を行う。【解決手段】 本実施形態の電磁界解析装置は、解析対象の一部に入力ポートと出力ポートを設定し、各ポートにおけるSパラメータ等を設定する(ステップS1)。次に、電界を計算した後(ステップS2)、入力波を演算する(ステップS3)。次に、入力波と反射係数S11との間で畳み込み積分を行って反射波と透過波を計算した後(ステップS4)、その計算結果を利用して磁界を計算する(ステップS5)。電界および磁界の計算回数nが最大値nmax未満であれば、ステップS1〜S5の処理を繰り返す。高周波回路等の高精度の解析が必要な領域はSパラメータを用いて詳細に解析を行い、アンテナや筐体などの放射を伴う領域は格子サイズを大きくしてFD-TD法等を用いて解析を行うため、電磁界解析に要する演算時間を短縮できる。
請求項(抜粋):
解析対象の電磁界解析を行う電磁界解析方法において、解析対象中の少なくとも一箇所に設定された入力ポートにおけるSパラメータを設定する第1ステップと、前記入力ポートへの入力波を演算する第2ステップと、前記第1ステップで設定されたSパラメータと前記第2ステップで演算された入力波との間で畳み込み積分を行い、前記入力ポートにおける反射波を演算する第3ステップと、演算された前記反射波に基づいて解析対象の磁界を演算する第4ステップと、演算された前記磁界に基づいて解析対象の電界を演算する第5ステップと、を備えることを特徴とする電磁界解析方法。

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