特許
J-GLOBAL ID：200903022705121663
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-126099
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326433
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造におけるランプアニール工程に関するもので、その工程で温度の測定を行なう場合、ウェハー裏面の構造のばらつきなどでウェハーの実温と測定温度が異なってしまうことを除去することを目的とするものである。【構成】 前記目的のため本発明は、ランプアニールを行なう場合、ウェハー1の裏面に放射光を吸収するカーボン(或いはカーボンを主とする材料)の膜2を堆積しておくようにしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造で行なわれるランプアニール工程において、ウェハーの裏面に放射光を吸収する材料の膜を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/26
, G01J 5/02
, H01L 21/324
