特許
J-GLOBAL ID：200903022712007396
粒界絶縁型半導体磁器組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059248
公開番号（公開出願番号）：特開平6-271354
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月27日
要約：
【要約】【目的】 SrTiO3系粒界絶縁型半導体磁器組成物において、焼成時の異常粒子成長を抑え、破壊電圧や見掛け誘電率の向上を図ること。【構成】 平均粒径が10μm以下で最大粒径が20μm以下のSrTiO3系粒界絶縁型半導体磁器組成物。この組成物は、SrTiO3系結晶粒子原料との重量比で約1000ppm以下のガラス成分を含有する。
請求項（抜粋）：
結晶粒子の平均粒径が10μm以下で最大粒径が20μm以下であるSrTiO3系の粒界絶縁型半導体磁器組成物において、(Sr1-X-Y-ZCaXMgYMZ)TiαO3の組成からなる結晶粒子を含み、但し、X,Y,Z,αの非化学量論的数値が、X≦0.50、Y≦0.20、0.002≦Z≦0.02、0.990≦α≦1.02であり、MはY,La,Ce,Gd,Dy,Ho,Er等の原子価制御で半導体化させる添加物である、前記結晶粒子原料との重量比で約1000ppm以下のガラス成分を含む、ことを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器組成物。
IPC (3件)：
C04B 35/46
, H01B 3/12 326
, H01G 4/12 415
