特許
J-GLOBAL ID:200903022713081395
半導体発光装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-237447
公開番号(公開出願番号):特開2001-068741
出願日: 1999年08月24日
公開日(公表日): 2001年03月16日
要約:
【要約】【課題】 エンキャップ材よる封止を精度良く制御して、特性の一定し、かつボンディングの不良が少ない半導体発光装置を提供する。【解決手段】 半導体発光装置を、凹部32を設けたサブマウント31と、凹部32の内部に設置された半導体レーザー素子11と、この半導体レーザー素子11を覆うように凹部32に充填されたエンキャップ材22と、このエンキャップ材22を覆うモールド樹脂から構成する。エンキャップ材22で半導体レーザー素子11を封止する際には、エンキャップ材22の封止量を凹部32で制御できるので、特性の一定した半導体発光装置を得ることができる。
請求項(抜粋):
凹部を設けたサブマウントと、前記凹部の内部に設置された半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆うように前記凹部に充填されたエンキャップ材と、少なくとも前記サブマウントと前記エンキャップ材とを覆うモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 33/00 N
, H01S 5/022
Fターム (12件):
5F041AA25
, 5F041AA31
, 5F041DA07
, 5F041DA11
, 5F041DA16
, 5F041DA26
, 5F041DA45
, 5F041DA58
, 5F073FA18
, 5F073FA27
, 5F073FA29
, 5F073FA30
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