特許

J-GLOBAL ID：200903022717672070

磁化方向制御膜及びこれを用いた磁気抵抗効果型センサ

発明者： 清水 豊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-288773
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111136
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 薄く形成した磁化方向制御膜及びこれを用いた磁気抵抗効果型センサを提供する。【解決手段】 (002)配向した六方晶系金属からなる下地層と、上記下地層上に形成された反強磁性層とからなる磁化方向制御膜である。磁気抵抗効果型センサに使用するときには、磁化方向を制御したい軟磁性層に上記磁化方向制御膜の反強磁性層を接して設ける。

請求項（抜粋）：

(002)配向した六方晶系金属からなる下地層と、上記下地層上に形成された反強磁性層とを有する磁化方向制御膜。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/20

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/20 ,  G01R 33/06 R

Fターム (19件)：

2G017AC09 ,  2G017AD54 ,  2G017AD56 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA05 ,  5D034BA21 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049CC01 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5E049GC06