特許
J-GLOBAL ID：200903022724783146
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069683
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283485
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】この発明は、弗素を含有する酸化珪素膜をストッパ-としたポリッシング技術により、絶対的に平坦化する。【構成】シリコン基板21の表面上に第1乃至第4の配線22〜25を設け、これら配線22〜25およびシリコン基板21の上に弗素を含有する酸化珪素膜26を設け、この弗素を含有する酸化珪素膜26の上に弗素を含有しない酸化珪素膜27を設ける。次に、弗素を含有しない酸化珪素膜27を、所定の時間、ポリッシングすることにより平坦化する。この際、弗素を含有する酸化珪素膜26は弗素を含有しない酸化珪素膜27に比べてポリッシング速度が遅いため、前記酸化珪素膜27の表面を研磨する際に前記酸化珪素膜26はストッパ-の役割を果たす。従って、前記酸化珪素膜27を絶対的に平坦化することができる。
請求項（抜粋）：
凹凸部を有する半導体基板表面に弗素を含有する酸化珪素膜を堆積する工程と、前記弗素を含有する酸化珪素膜の上に弗素を含有しない酸化珪素膜を堆積する工程と、前記弗素を含有する酸化珪素膜をストッパ-として、前記弗素を含有しない酸化珪素膜をポリッシングすることにより、前記凹凸部を有する半導体基板表面を平坦化する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/316
