特許
J-GLOBAL ID：200903022732828515
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138656
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335521
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 熱抵抗が小さく、しかも半導体チップが割れないようにした安価な半導体装置を提供する。【解決手段】 セラミックス基板(20)の半導体チップ(28)の搭載部位にはサーマルビア部(23)を形成して半導体チップの熱を放熱する。サーマルビア部の穴(21)の少なくとも上部を径方向の外方になるに従って浅くなるような形状となし、セラミックス基板とサーマルビア部との間の境界部位における表面の熱膨張をほぼ連続させるか、又は半導体チップの直下に応力緩和層(33)を設ける。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の少なくとも表面に配線用厚膜回路を形成するとともに、半導体チップを搭載し、該半導体チップと配線用厚膜回路とを結線してなる半導体装置において、上記セラミックス基板の半導体チップを搭載すべき部位には半導体チップの占有面積の70%以上の大口径穴が形成され、該穴内には高熱伝導性の充填材料が充填されて上記半導体チップの熱を放熱する大口径サーマルビア部が構成され、さらに、上記穴上部は口径外方に広がり、サーマルビア部と基板との境界部位における熱膨張差に基づく応力を分散させる熱応力緩和部を形成してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/36 C
