特許

J-GLOBAL ID：200903022734372314

半導体基板の処理方法

発明者： 藤巻 延嘉 ,  布施川 泉 ,  片山 正健
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-102062
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275299
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 チョクラルスキー法によって広範囲にわたる結晶成長速度で製造したシリコンウェーハ、特にMOS型半導体ウェーハにおける酸化膜耐圧特性の改善を図る。【構成】 チョクラルスキー法によって製造されたシリコン単結晶ウェーハを1250〜1300°Cの高温領域で0.5〜4時間の熱処理を施し、この時に形成される酸化膜を除去し清浄化した後に熱酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によって製造されたシリコン単結晶ウェーハを1250〜1300°Cの高温領域で0.5〜4時間の熱処理を施し、この時に形成される酸化膜を除去し清浄化した後に熱酸化膜を形成することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/316