特許
J-GLOBAL ID：200903022737312681
気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-222391
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069142
出願日： 1992年08月21日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 反応室内で複数の半導体ウェーハにエピタキシャル層を同時に、同一条件下で、同一品質で形成する気相成長装置の提供。【構成】 縦型のチャンバー(4)にガス供給管(7)と、これに取付けたウェーハホルダー(6)を収納する。ガス供給管(7)の外周に螺旋状に複数のガス穴(8)が形成され、このガス穴(8)の1つ1つにウェーハホルダー(6)に支持された半導体ウェーハ(1)が1枚ずつ対応する。1つのガス穴(8)から対応する1枚の半導体ウェーハ(1)に新鮮な反応ガス(2)が供給される。半導体ウェーハ(1)上で熱分解反応した反応ガス(2)は、他の半導体ウェーハ(1)に触れること無く、各半導体ウェーハ(1)の間の空間を自重で流下し、外部に取り出される。
請求項（抜粋）：
反応室内で加熱された半導体ウェーハ上に反応ガスを流して、半導体ウェーハ上に気相成長させる装置において、反応室内で複数の半導体ウェーハをそれぞれに間隔をもって支持するウェーハホルダーと、ウェーハホルダーに支持された複数の半導体ウェーハのそれぞれと対をなして所定の位置関係で相対し、各々が対応する半導体ウェーハだけに反応ガスを供給する複数のガス穴を有するガス供給管とを備えたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C30B 25/12
, C30B 25/14
, H01L 21/26
, H01L 21/36
