特許

J-GLOBAL ID：200903022738926993

光半導体装置及びその製造方法

発明者： 森本 卓夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005915
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208858
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 光半導体装置自体のコストとその実装コストとを低減する。【解決手段】 半導体レーザ素子11を基板1に搭載し、さらに光吸収層となる鉄シリサイド層4を含んで構成されるモニタ用PDを集積化する。このモニタ用PDでレーザ素子11の出力光をモニタする。この場合、基板1は、レーザ素子11と光結合される光ファイバ12を載置するためのV溝2を有し、レーザ素子11から光ファイバ12への出力光をモニタする。【効果】 モノリシックに集積されているのでモニタ用PDを別に実装する工程が省け、モジュール組立コストを低減できる。また、Si基板上の鉄シリサイドによる受光素子は、通常のSi半導体で用いられる大口径の基板を用いて製造することができるので、製造コストを低減できる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子を搭載する基板に、鉄シリサイドの光吸収層を有し前記半導体レーザ素子の出力光をモニタする受光素子を集積化したことを特徴とする光半導体装置。

IPC (5件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/0683 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/0264

FI (5件)：

H01S 3/18 612 ,  H01S 3/18 616 ,  H01S 3/18 637 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/08 L

Fターム (19件)：

2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06 ,  2H037DA12 ,  5F073EA29 ,  5F073FA04 ,  5F073FA07 ,  5F073FA13 ,  5F073FA17 ,  5F073FA23 ,  5F088AA03 ,  5F088AB01 ,  5F088BA15 ,  5F088BB01 ,  5F088CB03 ,  5F088KA06 ,  5F088LA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-152304
  
• 特開平4-101467
  
• 特開平4-296054