特許

J-GLOBAL ID：200903022744889510

量子効果装置及び半導体複合基板

発明者： 渡辺 浩志 ,  安田 直樹 ,  鳥海 明 ,  丹沢 徹 ,  田中 智晴
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065150
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261786
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 新規なスウィッチング素子及びこれを用いた回路装置等を提供する。【解決手段】 絶縁膜との界面にチャネル部が形成される半導体領域と、チャネル部の両端に対応して設けられチャネル部にトンネル電流を流す第1及び第2の端子S及びDと、チャネル部のポテンシャルバリアに絶縁膜を介して高周波振動を与える第3の端子Gとを有し、所定のしきい振動数を境にチャネル部に流れるトンネル電流が指数関数的に増大する。

請求項（抜粋）：

トンネル電子に量子を吸収もしくは放出させることにより、トンネル電流を指数関数的に増大させることを特徴とする量子効果装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78 301 J

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Coherent and sequential photoassisted tunnneling through a semiconductor double-barrier structure"