ダイオード及び半導体集積回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066062
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267644
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】少数キャリアのライフタイムを短縮することなく、逆回復電流が小さく高速で動作するダイオード及び半導体集積回路を提供する。【構成】一方の主表面を有する一方導電型の第1の半導体領域10と、一方の主表面の複数の個所から第一の半導体10内に伸びる他方導電型の第2の半導体領域20と、第2の半導体領域20とオーミック接触し、第2の半導体領域間の第1の半導体領域が露出している領域にショットキー接合を形成する第1の電極3と、第1の半導体領域10の複数の個所から第一の半導体10内に伸びる一方導電型の第3の半導体領域11と、第3の半導体領域11とオーミック接触し、第3の半導体領域11間の第1の半導体領域10が露出している領域にショットキー接合を形成する第2の電極2を設けたもの。【効果】ショットキー接合を通じてキャリアを引き抜けるためダイオードを高速化できる。

請求項（抜粋）：

一方導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の一方の主表面の複数の個所から該第一の半導体領域内にそれぞれ独立して伸びた他方導電型の第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域とオーミック接触するとともに前記第2の半導体領域間の前記第1の半導体領域が露出している領域にショットキー接合を形成する第1の電極と、前記第1の半導体領域の他方の主表面の複数の個所から該第一の半導体領域内にそれぞれ独立して伸びた前記第一の半導体領域より高濃度の一方導電型の第3の半導体領域と、前記第3の半導体領域とオーミック接触すると共に前記第3の半導体領域間の前記第1の半導体領域が露出している領域にショットキー接合を形成する第2の電極とで構成されていることを特徴とするダイオード。

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