特許
J-GLOBAL ID：200903022758195545
半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-332050
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162880
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 反応室内で不純物である汚染金属を発生させない半導体製造装置およびこの製造装置を用いた半導体装置を作成する製造方法を提供する。【解決手段】 Sは反応室であり、チタン膜および窒化チタン膜などの成膜が行われる。10は基板ホルタ ゙ーであり、塩素に対する腐食耐性に優れたニッケル系合金で構成されている。11は窒化シリコン膜であり、基板ホルタ ゙ー10の上面に約5000オンク ゙ストロームの厚さで形成されている。この窒化シリコン膜11は半導体基板2上面へチタン膜や窒化チタン膜の成膜に先立ち、反応室Sにおいて熱CVD法により形成されたものである。Hは抵抗加熱ヒーターであり、生成膜処理における基板ホルタ ゙ー10の温度を制御する。Lは排気ラインであり、成膜処理において生成される反応カ ゙スおよび未反応カ ゙スを反応室Sから排出する。Eは上部電極であり、反応室S内部の上部に設けられている。
請求項（抜粋）：
ハロゲン化チタンを原料ガスとして化学的気相成長法により半導体基板上面にチタン膜または窒化チタン膜を生成する半導体装置の製造装置において、前記製造装置内に設けられた前記半導体基板を搭載する搭載部と、この搭載部上面に形成された窒化シリコン膜とを具備し、前記窒化シリコン膜と前記窒化チタン膜とが前記製造装置内において形成されることを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
H01L 21/285 301 R
, H01L 21/88 Q
