特許

J-GLOBAL ID：200903022760731020

ショットキーダイオードを製造するための方法

発明者： ラインハルト ローゼハント ,  フーベルト ヴェルトマン
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-551430
公開番号（公開出願番号）：特表2002-517091
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：

【要約】本発明は、ショットキーダイオードを製造するための方法に関し、このショットキーダイオードはショットキーコンタクトの端部領域にドープされたガードリングを有する。ガードリング(7)は、予め構造化されたマスキング層(3)を設けられた半導体層(2)の表面へのとりわけプラチナからなる高バリア材料(4)のデポジション及び次いでエッチバックによって製造される。

請求項（抜粋）：

ショットキーダイオードを製造するための方法であって、前記ショットキーダイオードはショットキーコンタクトの端部領域にガードリングを有する、ショットキーダイオードを製造するための方法において、 前記ガードリングは前記ショットキーコンタクトの製造の後で導電性ガードリング材料(4)のデポジションを用いて構造化されたマスキング層(3)を設けられた半導体層(2)の表面(9)に製造されることを特徴とする、ショットキーダイオードを製造するための方法。

IPC (2件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/93

FI (2件)：

H01L 29/93 S ,  H01L 29/48 P

Fターム (20件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB25 ,  4M104CC03 ,  4M104DD10 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF37 ,  4M104GG03 ,  4M104HH14