特許
J-GLOBAL ID：200903022771553418
光電陰極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046398
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241554
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 生産性とこれを用いた電子管の検出感度を共に向上させることができる光電陰極を提供する。【解決手段】 この光電陰極は、UVガラス基板3と、UVガラス基板3上に順次形成されたSiO2層15、GaAlN層17a、III-V族窒化物半導体層18及びAlN緩衝層17からなる積層体10とを備える。UVガラス基板3は赤外線を吸収するので、光加熱によって高速に熱処理でき、また、紫外線を透過させるので光電変換を行うIII-V族窒化物半導体層18内に紫外線を導入することができる。
請求項（抜粋）：
紫外線が一方の面に入射されるUVガラス基板と、アルカリ金属を含むアルカリ金属含有層と、前記UVガラス基板の他方の面と前記アルカリ金属含有層との間に位置し、紫外線の入射に応じて電子を生成するIII-V族窒化物半導体層と、を備える光電陰極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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