半導体素子収納基板

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022433
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231846
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】蓋体と絶縁基板の熱膨張率差に起因して生じる熱応力による破損を抑制できる半導体素子収納基板を提供する。【解決手段】絶縁基板2と、該絶縁基板2上面のキャビティ5に収納された半導体素子7と、絶縁基板2上面に接合され半導体素子7を密封する蓋体11と、絶縁基板2の底面に形成されるとともに、絶縁溝15により電気的導通が解除された複数の端子電極13とを具備し、複数の端子電極13が絶縁基板2の側面まで引き出され、絶縁基板2の側面に絶縁溝15が形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、該絶縁基板上面のキャビティに収納された半導体素子と、前記絶縁基板上面に接合され前記半導体素子を密封する蓋体と、前記絶縁基板の底面に形成されるとともに、絶縁溝により電気的導通が解除された複数の端子電極とを具備する半導体素子収納基板であって、前記複数の端子電極が前記絶縁基板の側面まで引き出され、前記絶縁基板の側面に前記絶縁溝が形成されていることを特徴とする半導体素子収納基板。

IPC (4件)：

H01L 23/04 , H01L 23/02 , H01L 23/08 , H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 23/04 E , H01L 23/02 J , H01L 23/08 C , H01L 23/12 L

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