特許

J-GLOBAL ID：200903022776483329

半導体評価装置

発明者： 土屋 憲彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067173
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283585
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェーハの表面の微小欠陥の評価が容易に行え、また欠陥発生箇所での不純物の対応関係を明確にし得る半導体評価装置を提供する。【構成】 単色X線ビームbを半導体ウェーハ7の表面に全反射臨界角以下で入射させると共にブラッグ反射を起こすように回折条件に合わせるようにして回折X線cを回折X線検出器11で測定するようにしてあり、単色X線ビームbの半導体ウェーハ7表面への入射角が微小なものとなり、広い範囲への照射が可能となって表面の結晶欠陥の検出が広い範囲に亘り高い分解性能をもって行え、半導体ウェーハ7の表面の微小欠陥の評価が容易に行える。また同じ測定条件のまま切り換え測定できるようにした蛍光X線検出器12で、半導体ウェーハ7の表面からの全反射蛍光X線dのエネルギースペクトルを測定することで、結晶欠陥の発生箇所での不純物の対応関係を明確にすることができる。

請求項（抜粋）：

単色・平行なX線ビームを放射するX線ビーム放射手段と、半導体ウェーハを支持すると共に該半導体ウェーハの表面へ投射された前記X線ビーム放射手段からのX線ビームの入射角を調整可能な半導体ウェーハ支持手段と、前記半導体ウェーハの表面からの回折X線の検出手段とを備え、前記X線ビーム放射手段からのX線ビームが前記半導体ウェーハの表面に全反射臨界角以下で入射させると共にブラッグ反射を起こすように回折条件に合わせて前記回折X線の検出手段で回折X線を測定するようにしたことを特徴とする半導体評価装置。