特許
J-GLOBAL ID:200903022776544280

圧電素子の再生方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-154352
公開番号(公開出願番号):特開平6-342946
出願日: 1993年05月31日
公開日(公表日): 1994年12月13日
要約:
【要約】【目的】 長期間使用して変位性能が低下した圧電素子の変位性能を回復する方法を提供する。【構成】 圧電素子の変位性能を回復する圧電素子の再生方法であって、(1)圧電素子に、駆動時に印加した電場方向と反対の方向に抗電界以上の電場を印加する、または(2)圧電素子に、圧電材料のキュリー温度以上の温度でアニール処理を施す。
請求項(抜粋):
圧電素子の変位性能を回復する圧電素子の再生方法であって、圧電素子に、駆動時に印加した電場方向と反対の方向に抗電界以上の電界を印加することを特徴とする圧電素子の再生方法。
IPC (2件):
H01L 41/24 ,  H01L 21/326
FI (2件):
H01L 41/22 B ,  H01L 41/22 Z

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